SI4925BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4925BDY-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.46 |
10+ | $1.302 |
100+ | $1.0153 |
500+ | $0.8387 |
1000+ | $0.6621 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 10V |
Leistung - max | 1.1W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.3A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI4925 |
SI4925BDY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI4925BDY-T1-E3 PDF - EN.pdf |
SI4925DDY-T1-E3 VISHAY
VISHAY SOP8
SI4925 SI
SI SO-3.9
SI4925BDY-T1-E3. VISHAY
VISHAY SOP8
MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
SI4925BDY VIS
Si4925BDY-T1-E3 TEL:88834448 VISHAY
Si4923DY-T1-E3 TEL:88834448 VISHAY
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
VISHAY N/A
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4924DY-T1-E3 V
SI4925BDY-T1 VISHAY
Si4925DDY Vishay
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4925BDY-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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